��ِ˹���ʰ댧(d��o)�w�y(c��)ԇ�xIGBT�o�B(t��i)�y(c��)ԇ�O(sh��)��,������N�y(c��)���ͷ�������һ�w,�����Ծ���(zh��n)�y(c��)����ͬ���b��͹�����������MOSFET,��BJT,��IGBT�Լ�SiC,��GaN�������댧(d��o)�w�ȣ����o�B(t��i)����(sh��),�����и�늉��ʹ��������,��μΩ��(j��)J�_�y(c��)��,���{����(j��)����y(c��)�����������c(di��n),��֧�ָ߉�ģʽ�œy(c��)�����������Y(ji��)��ݣ���ݔ�����,��ݔ�����,�������ݔ��ݵȡ�

��ِ˹PMST���������o�B(t��i)����(sh��)�y(c��)ԇϵ�y(t��ng)�����ж�N�y(c��)����Ԫģ�K,��ģ�K�����O(sh��)Ӌ(j��)�y(c��)ԇ����   �`��,�������Ñ����ӻ�����(j��)�y(c��)��ģ�K���m��(y��ng)�y(c��)��������������׃��������,��Ԕԃ18140663476

�y(c��)ԇϵ�y(t��ng)�M��

��ِ˹PMST���������o�B(t��i)����(sh��)�y(c��)ԇϵ�y(t��ng),����Ҫ�����y(c��)ԇ���C(j��)���y(c��)ԇ��,���y(c��)ԇ�A��,����X����λ�C(j��)ܛ��,���Լ����P(gu��n)ͨӍ,���y(c��)ԇ����Ș�(g��u)�ɡ�����ϵ�y(t��ng)������ِ˹�����_�l(f��)�Ĝy(c��)ԇ���C(j��),����(n��i)�ö�NҎ(gu��)��늉�,���������ݜy(c��)����Ԫģ�K,���Y(ji��)�ό�����λ�C(j��)�y(c��)ԇܛ��,���ɸ���(j��)�y(c��)ԇ�(xi��ng)Ŀ��Ҫ���O(sh��)�ò�ͬ��늉�,������ȅ���(sh��),���ԝM�㲻ͬ�y(c��)ԇ����,���y(c��)ԇ��(sh��)��(j��)�ɱ����c��(d��o)������������I-V�Լ�C-V��������,������,���y(c��)ԇ���C(j��)���c̽��_(t��i)����ʹ�ã���(sh��)�F(xi��n)���A��(j��)оƬ�y(c��)ԇ,��Ҳ���c�ߵ͜���,���ؿ�ģ�K�ȴ���ʹ�ã��M��ߵ͜؜y(c��)ԇ����,��

�y(c��)ԇ���C(j��)��(n��i)�����õ�늉�,������y(c��)����Ԫ�������ö������O(sh��)Ӌ(j��),���y(c��)ԇ���Ȟ�0.1%,�����У��ŘO-�l(f��)��O,�����֧��30V@10A�}�_���ݔ���c�y(c��)ԇ,���ɜy(c��)ԇ����Ƥ����(j��)©�������늘O-�l(f��)��O,�����֧��6000A�����}�_��������������r(sh��)�g��15μs,���Ҿ߂�늉�����ͬ���ɘӹ���,�����֧��3500V늉�ݔ�������Ԏ�©����y(c��)������,��������Ԝy(c��)ԇ,������ݔ����ݣ�ݔ�����,���Լ������ݔ��ݜy(c��)ԇ,���l�����֧��1MHz��

ϵ�y(t��ng)���c(di��n)

��늉���֧�ָ��_(d��)3.5KV��늉��y(c��)ԇ��Z��U(ku��)չ��10kV��,��

�������֧�ָ��_(d��)6KA������y(c��)ԇ����ģ�K��“(li��n)��,��

�߾��ȣ�֧��uΩ��(j��)��(d��o)ͨ��衢�{����(j��)©����y(c��)ԇ,��

�S��ģ�壺��(n��i)���S���Ĝy(c��)ԇģ��,�������Ñ��������Üy(c��)ԇ����(sh��)��

���Ì�(d��o)����֧��һ�I��(d��o)������(sh��)���ü�һ�I����(d��ng)�y(c��)ԇ����,��

��(sh��)��(j��)�A(y��)�[����(d��o)����֧�ֈD�ν����Լ�����չʾ�y(c��)ԇ�Y(ji��)��,�����һ�I��(d��o)����

ģ�K���O(sh��)Ӌ(j��)����(n��i)������ģ�K���Y(ji��)��(g��u)�O(sh��)Ӌ(j��),������������,������S�o(h��),��

����չ��֧����չ�ؿع��ܣ�����O(ji��n)��ϵ�y(t��ng)�\(y��n)�Мض�,��

�ɶ����_�l(f��)���ɸ���(j��)�Ñ��y(c��)ԇ��(ch��ng)�����ƻ��_�l(f��),��

ϵ�y(t��ng)����(sh��)

�y(c��)ԇ�(xi��ng)Ŀ

��늘O-�l(f��)��O늉�Vces����늘O-�l(f��)��O����늉�V(br)ces,����늘O-�l(f��)��O�늉�Vcesat

��늘O��ֹ���Ices,���ŘO©���Iges

�ŘO-�l(f��)��O늉�Vges���ŘO-�l(f��)��O�ֵ늉�Vge(th)

ݔ�����,��ݔ�����,�������ݔ���

�m(x��)�����O�܉���Vf

I-V�����������裬C-V�������������

IGBT�y(c��)ԇ�O(sh��)��+igbt�y(c��)ԇ�x�y(c��)ԇ�A��

ᘌ�(du��)�����ϲ�ͬ���b��͵Ĺ�����ʰ댧(d��o)�w,��IGBT,��SiC��MOS,��GaN�Ȯa(ch��n)Ʒ,����ِ˹�ṩ

���לy(c��)ԇ�A�߽�Q������������T0�ι�,�����ģ�M�Ȯa(ch��n)Ʒ�Ĝy(c��)ԇ,��

Ŀǰ����h��ِ˹�x�����޹�˾�Įa(ch��n)Ʒ�ѽ�(j��ng)���w��10pA-6000A,��300mV-10KV��늉��������,�����ڶ���(g��)�I(l��ng)��չ�F(xi��n)���^��(du��)��(y��u)��(sh��)���؄e���ھ۽�SiC/IGBT/GaN�������댧(d��o)�w���Դ���y(c��)ԇ������,����˾��3500V,��1000A�������̼��y(c��)ԇ���ܾ�̎�ڽ^��(du��)��(y��u)��(sh��)��λ������,���ڴ��ʼ������y(c��)ԇ,��PD��APD,��SPAD,��SIPM���A�y(c��)ԇ���ϻ��Դ�Ј�(ch��ng)����ِ˹�x���Įa(ch��n)ƷҲ�܉�M��^�����(sh��)��(y��ng)�È�(ch��ng)��������,�����ʰ댧(d��o)�w�y(c��)ԇ�xIGBT�o�B(t��i)�y(c��)ԇ�O(sh��)��������ِ˹�x��,��Ԕԃһ��һ������������������