��ِ˹���ʰ댧(d��o)�w�yԇ�xIGBT�o�B(t��i)�yԇ�O(sh��)��,������N�y���ͷ�������һ�w�����Ծ���(zh��n)�y����ͬ���b��͹�����������MOSFET,��BJT,��IGBT�Լ�SiC,��GaN�������댧(d��o)�w�ȣ����o�B(t��i)����(sh��)�����и�늉��ʹ��������,��μΩ��J�_�y��,���{��������y�����������c��֧�ָ߉�ģʽ�œy�����������Y(ji��)���,����ݔ�����,��ݔ����ݡ������ݔ��ݵ�,��

��ِ˹PMST���������o�B(t��i)����(sh��)�yԇϵ�y(t��ng)�����ж�N�y����Ԫģ�K,��ģ�K�����O(sh��)Ӌ�yԇ����   �`������Ñ����ӻ������y��ģ�K,���m��(y��ng)�y��������������׃��������,��Ԕԃ18140663476

�yԇϵ�y(t��ng)�M��

��ِ˹PMST���������o�B(t��i)����(sh��)�yԇϵ�y(t��ng),����Ҫ�����yԇ���C���yԇ��,���yԇ�A��,����X����λ�Cܛ��,���Լ����P(gu��n)ͨӍ,���yԇ����Ș�(g��u)�ɡ�����ϵ�y(t��ng)������ِ˹�����_�l(f��)�Ĝyԇ���C,����(n��i)�ö�NҎ(gu��)��늉�,���������ݜy����Ԫģ�K,���Y(ji��)�ό�����λ�C�yԇܛ��,���ɸ���(j��)�yԇ�Ŀ��Ҫ���O(sh��)�ò�ͬ��늉�,������ȅ���(sh��)���ԝM�㲻ͬ�yԇ����,���yԇ��(sh��)��(j��)�ɱ����c��(d��o)��,����������I-V�Լ�C-V��������������,���yԇ���C���c̽��_����ʹ��,�����F(xi��n)���A��оƬ�yԇ��Ҳ���c�ߵ͜���,���ؿ�ģ�K�ȴ���ʹ��,���M��ߵ͜؜yԇ����

�yԇ���C��(n��i)�����õ�늉�,������y����Ԫ,�������ö������O(sh��)Ӌ���yԇ���Ȟ�0.1%,������,���ŘO-�l(f��)��O�����֧��30V@10A�}�_���ݔ���c�yԇ,���ɜyԇ����Ƥ����©���,����늘O-�l(f��)��O�����֧��6000A�����}�_���,�����������r�g��15μs,���Ҿ߂�늉�����ͬ���ɘӹ��ܣ����֧��3500V늉�ݔ��,�����Ԏ�©����y������,��������Ԝyԇ,������ݔ����ݣ�ݔ�����,���Լ������ݔ��ݜyԇ,���l�����֧��1MHz��

ϵ�y(t��ng)���c

��늉���֧�ָ��_(d��)3.5KV��늉��yԇ��Z��U(ku��)չ��10kV��,��

�������֧�ָ��_(d��)6KA������yԇ����ģ�K��“(li��n)��,��

�߾��ȣ�֧��uΩ����(d��o)ͨ��衢�{����©����yԇ,��

�S��ģ�壺��(n��i)���S���Ĝyԇģ��,�������Ñ��������Üyԇ����(sh��)��

���Ì�(d��o)����֧��һ�I��(d��o)������(sh��)���ü�һ�I���Ӝyԇ����,��

��(sh��)��(j��)�A(y��)�[����(d��o)����֧�ֈD�ν����Լ�����չʾ�yԇ�Y(ji��)��,�����һ�I��(d��o)����

ģ�K���O(sh��)Ӌ����(n��i)������ģ�K���Y(ji��)��(g��u)�O(sh��)Ӌ,������������,������S�o(h��)��

����չ��֧����չ�ؿع���,������O(ji��n)��ϵ�y(t��ng)�\�Мض�,��

�ɶ����_�l(f��)���ɸ���(j��)�Ñ��yԇ�������ƻ��_�l(f��)��

ϵ�y(t��ng)����(sh��)

�yԇ�Ŀ

��늘O-�l(f��)��O늉�Vces,����늘O-�l(f��)��O����늉�V(br)ces,����늘O-�l(f��)��O�늉�Vcesat

��늘O��ֹ���Ices���ŘO©���Iges

�ŘO-�l(f��)��O늉�Vges,���ŘO-�l(f��)��O�ֵ늉�Vge(th)

ݔ�����,��ݔ����ݡ������ݔ���

�m(x��)�����O�܉���Vf

I-V������������,��C-V�������������

IGBT�yԇ�O(sh��)��+igbt�yԇ�x�yԇ�A��

ᘌ������ϲ�ͬ���b��͵Ĺ�����ʰ댧(d��o)�w,��IGBT��SiC,��MOS,��GaN�Ȯa(ch��n)Ʒ����ِ˹�ṩ

���לyԇ�A�߽�Q����,��������T0�ι�,�����ģ�M�Ȯa(ch��n)Ʒ�Ĝyԇ��

Ŀǰ,����h��ِ˹�x�����޹�˾�Įa(ch��n)Ʒ�ѽ�(j��ng)���w��10pA-6000A,��300mV-10KV��늉�������������ڶ����I(l��ng)��չ�F(xi��n)���^����(y��u)��,���؄e���ھ۽�SiC/IGBT/GaN�������댧(d��o)�w���Դ���yԇ������,����˾��3500V,��1000A�������̼��yԇ���ܾ�̎�ڽ^����(y��u)�ݵ�λ������,���ڴ��ʼ������yԇ,��PD��APD,��SPAD,��SIPM���A�yԇ���ϻ��Դ�Ј�����ِ˹�x���Įa(ch��n)ƷҲ�܉�M��^�����(sh��)��(y��ng)�È���������,�����ʰ댧(d��o)�w�yԇ�xIGBT�o�B(t��i)�yԇ�O(sh��)��������ِ˹�x��,��Ԕԃһ��һ������������������